中高压MOSFET的优点
东芝已开发出第4代超级结600 -V DTMOS Ⅳ的MOSFET系列产品。通过采用先进的单层外延工艺， DTMOS Ⅳ减少了30 ％的罗恩A，这是MOSFET相较于其前一代产品DTMOS Ⅲ所具有的一个数字化的优点（ FOM） 。对于罗恩A的降低，实现了在相同封装中安装较低Ron芯片的可能。这也有助于提升效率和减小电源的尺寸大小。
特点
1 ，罗恩·一个减小了30 ％ ，这是MOSFET相较于其前一代产品（差动Ⅲ ）的一个数字化优点。
2，因为采用了独立单层外延工艺，所以在高温时导通电阻增加较少。
3，因为减小了科斯，所以相较于前一代产品（差动Ⅲ ） ，可以降低12 ％的开关损耗， EOSS 。
DTMOS四： EOSS曲线
具有相同罗恩的产品的效率比较
4，可用的导通电阻范围广泛， RDS（ON） ： 0.9 Ω - 0.018 Ω
5，多种封装选择
插针式： TO- 220 ， TO- 220SIS ， IPAK ， I2PAK ， TO- 3P （N ） ， TO- 3P （L ） ， TO- 247
表面贴装型： DPAK ， D2PAK
应用:通信设备的电源\服务器\台式电脑\适配器 LED照明\UPS\液晶电视\焊机\打印机\太阳能逆变器
分立功率MOSFET是用于制造AC-DC开关转换器(将交流电压转换成直流电压) 和DC-DC转换器(将一个直流电压等级转换成另一个电压等级) 的必要器件。
东芝正致力于尽可能程度地减少MOSFET损耗以进一步提升MOSFET的性能。因为降低传导和开关损耗有助于提升电源电路的工作效率。东芝确信这些工作能够为实现一个更具能源意识和可持续发展的社会作出积极的贡献。
东芝在开发和制造分立MOSFET器件领域拥有几十年的生产经验。东芝的主要产品包括：中高压DTMOSIV系列(VDSS= 600V左右)、低压U-MOSⅧ-H系列(VDSS=30-250 V)。
东芝已开发出第4代超级结600-V DTMOSⅣ MOSFET系列产品。通过采用先进的单层外延工艺，DTMOSⅣ减少了30%的Ron, 这是MOSFET相较于其前一代产品DTMOSⅢ所具有的一个数字化的优点(FOM)。对于Ron A的降低，实现了在相同封装中安装较低Ron芯片的可能。这也有助于提升效率和减小电源的尺寸大小。

现货供应全系列东芝TOS场效应管TK5A60W、TK6A60W、TK7A60W、TK8A60W、TK10A60W、TK12A60W、TK16A60W、2SK3564、2SK3565、2SK3742、2SK3798、2SK3799、2SK4013、2SK4014、TK10A50D、TK10A55D、TK10A60D、TK11A50D、TK11A55D、TK11A60D、TK11A65D、TK12A50D、TK12A53D、TK12A55D、TK12A60D、TK12A60U、TK12A65D、TK13A50D、TK13A55DA、TK13A60D、TK13A65D、TK13A65U、TK14A55D、TK14A65W、TK15A50D、TK15A60D、TK15A60U、TK4A60D、TK4A65DA、TK5A55D、TK5A60D、TK5A65DA、TK5A65D、TK6A53D、TK6A55DA、TK6A60D、TK6A65D、TK7A55D、TK7A65D、TK8A50D、TK8A55DA、TK8A60DA、TK8A65D、TK9A55DA、TK9A60D
公司：深圳市华帝诚电子有限公司